Главная / SSD / Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] vs Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]

Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] vs Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]

vs
Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
63%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] и Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
98.5
На 82.1 (500.6%) лучше
vs
16.4
Объем накопителя
8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
vs
1000 ГБ
NVMe
vs
Максимальная скорость последовательной записи
15000 Мбайт/сек
На 14480 Мбайт/сек (2784.6%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
15000 Мбайт/сек
На 14450 Мбайт/сек (2627.3%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
Ресурс работы
3600 TBW
На 3000 TBW (500%) лучше
vs
600 TBW
Преимущества Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
Ширина
69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
vs
129.9 мм
Длина
100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
vs
278.6 мм
Толщина
6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
vs
21.6 мм

Сравнение всех характеристик

Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 90000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 98000 IOPS
Максимальная скорость последовательного чтения
15000 Мбайт/сек
На 14450 Мбайт/сек (2627.3%) лучше
550 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
15000 Мбайт/сек
На 14480 Мбайт/сек (2784.6%) лучше
520 Мбайт/сек
Толщина
21.6 мм 6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
Длина
278.6 мм 100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
Ширина
129.9 мм 69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
Шифрование данных
Энергопотребление
35.3 Вт нет данных
Поддержка команды TRIM
MTBF (Среднее время наработки на отказ)
1.77 млн часов нет данных
Ресурс работы
3600 TBW
На 3000 TBW (500%) лучше
600 TBW
Серверный
$
нет данных 139
Соотношение цена-качество
98.5
На 82.1 (500.6%) лучше
16.4
Контроллер
Phison PS5016-E16 Samsung MJX
Структура памяти
3D NAND 3D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
PCI-E SATA III
Объем накопителя
8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
1000 ГБ
Популярные сравнения