Соотношение цена-качество |
98.5
На 82.1 (500.6%) лучше
vs
16.4
|
Объем накопителя |
8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
vs
1000 ГБ
|
NVMe |
vs
|
Максимальная скорость последовательной записи |
15000 Мбайт/сек
На 14480 Мбайт/сек (2784.6%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
15000 Мбайт/сек
На 14450 Мбайт/сек (2627.3%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Ресурс работы |
3600 TBW
На 3000 TBW (500%) лучше
vs
600 TBW
|
Ширина |
69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
vs
129.9 мм
|
Длина |
100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
vs
278.6 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
vs
21.6 мм
|
Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 90000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
нет данных | 98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
15000 Мбайт/сек
На 14450 Мбайт/сек (2627.3%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
15000 Мбайт/сек
На 14480 Мбайт/сек (2784.6%) лучше
|
520 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
21.6 мм | 6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
|
Длина | |
278.6 мм | 100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
|
Ширина | |
129.9 мм | 69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Энергопотребление | |
35.3 Вт | нет данных |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
1.77 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
3600 TBW
На 3000 TBW (500%) лучше
|
600 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
нет данных | 139 |
Соотношение цена-качество | |
98.5
На 82.1 (500.6%) лучше
|
16.4 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Phison PS5016-E16 | Samsung MJX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
PCI-E | SATA III |
Объем накопителя | |
8000 ГБ
На 7000 ГБ (700%) лучше
|
1000 ГБ |