Главная / SSD / Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] vs Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]

Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] vs Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]

Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]
40%
Оценка DeviceList
vs
Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
63%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] и Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3]
Соотношение цена-качество
52.8
На 36.4 (222%) лучше
vs
16.4
$
49
На -90 (-64.7%) лучше
vs
139
Преимущества Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
Победитель в сравнении
Объем накопителя
1000 ГБ
На 520 ГБ (108.3%) лучше
vs
480 ГБ
Максимальная скорость последовательной записи
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
Шифрование данных
vs
Толщина
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм

Сравнение всех характеристик

Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-480-G3] Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 90000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 98000 IOPS
Максимальная скорость последовательного чтения
540 Мбайт/сек 550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
Максимальная скорость последовательной записи
460 Мбайт/сек 520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
Толщина
7 мм 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
Длина
100 мм 100 мм
Ширина
69.85 мм 69.85 мм
Шифрование данных
Поддержка команды TRIM
Ресурс работы
нет данных 600 TBW
Серверный
$
49
На -90 (-64.7%) лучше
139
Соотношение цена-качество
52.8
На 36.4 (222%) лучше
16.4
Контроллер
Marvell 88NV1120 Samsung MJX
Структура памяти
3D NAND 3D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
SATA III SATA III
Объем накопителя
480 ГБ 1000 ГБ
На 520 ГБ (108.3%) лучше
Популярные сравнения