Объем накопителя |
512 ГБ
На 392 ГБ (326.7%) лучше
vs
120 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
89000 IOPS
На 64000 IOPS (256%) лучше
vs
25000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 25000 IOPS (38.5%) лучше
vs
65000 IOPS
|
Ресурс работы |
320 TBW
На 290 TBW (966.7%) лучше
vs
30 TBW
|
Ширина |
69.8 мм
На -0.049999999999997 мм (-0.099999999999994%) лучше
vs
69.85 мм
|
Соотношение цена-качество |
96.9
На 28.2 (41%) лучше
vs
68.7
|
Длина |
100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
vs
100.2 мм
|
HP S750 [16L53AA#ABB] | Corsair Force Series LE200 [CSSD-F120GBLE200B] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
89000 IOPS
На 64000 IOPS (256%) лучше
|
25000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 25000 IOPS (38.5%) лучше
|
65000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
50 г | нет данных |
Толщина | |
7 мм | 7 мм |
Длина | |
100.2 мм | 100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
|
Ширина | |
69.8 мм
На -0.049999999999997 мм (-0.099999999999994%) лучше
|
69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Энергопотребление | |
2.17 Вт | нет данных |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
100 G | нет данных |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
2 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
320 TBW
На 290 TBW (966.7%) лучше
|
30 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
78 | нет данных |
Соотношение цена-качество | |
68.7 | 96.9
На 28.2 (41%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
нет данных | Phison S11 |
Структура памяти | |
3D NAND | 2D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
512 ГБ
На 392 ГБ (326.7%) лучше
|
120 ГБ |