$ |
57
На -7 (-10.9%) лучше
vs
64
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
|
Шифрование данных |
vs
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
58.5
На 7.7 (15.2%) лучше
vs
50.8
|
Объем накопителя |
512 ГБ
На 262 ГБ (104.8%) лучше
vs
250 ГБ
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | AMD Radeon R5 Series [R5SL512G] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.9%) лучше
|
540 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (13%) лучше
|
460 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
70 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 1500 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.5 млн часов |
Ресурс работы | |
150 TBW | 150 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57
На -7 (-10.9%) лучше
|
64 |
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 58.5
На 7.7 (15.2%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 512 ГБ
На 262 ГБ (104.8%) лучше
|