Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (2%) лучше
vs
510 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 9000 IOPS (11.1%) лучше
vs
81000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 18000 IOPS (22.5%) лучше
vs
80000 IOPS
|
Ресурс работы |
150 TBW
На 5 TBW (3.4%) лучше
vs
145 TBW
|
Шифрование данных |
vs
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
71.3
На 20.5 (40.4%) лучше
vs
50.8
|
$ |
43
На -14 (-24.6%) лучше
vs
57
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | HP S700 [2DP98AA#ABB] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 9000 IOPS (11.1%) лучше
|
81000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 18000 IOPS (22.5%) лучше
|
80000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (2%) лучше
|
510 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Ресурс работы | |
150 TBW
На 5 TBW (3.4%) лучше
|
145 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 43
На -14 (-24.6%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 71.3
На 20.5 (40.4%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Silicon Motion SM2258XT |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 250 ГБ |