Главная / SSD / Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] vs Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3]

Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] vs Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3]

Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW]
79%
Оценка DeviceList
vs
Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3]
31%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] и Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW]
Победитель в сравнении
Объем накопителя
500 ГБ
На 380 ГБ (316.7%) лучше
vs
120 ГБ
Максимальная скорость последовательной записи
520 Мбайт/сек
На 160 Мбайт/сек (44.4%) лучше
vs
360 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
Шифрование данных
vs
Толщина
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
Преимущества Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3]
Соотношение цена-качество
76.9
На 32.3 (72.4%) лучше
vs
44.6
$
24
На -49 (-67.1%) лучше
vs
73

Сравнение всех характеристик

Samsung 860 EVO [MZ-76E500BW] Goodram CL100 gen.3 [SSDPR-CL100-120-G3]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
90000 IOPS нет данных
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
98000 IOPS нет данных
Максимальная скорость последовательного чтения
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
500 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
520 Мбайт/сек
На 160 Мбайт/сек (44.4%) лучше
360 Мбайт/сек
Толщина
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
7 мм
Длина
100 мм 100 мм
Ширина
69.85 мм 69.85 мм
Шифрование данных
Поддержка команды TRIM
Ресурс работы
300 TBW нет данных
Серверный
$
73 24
На -49 (-67.1%) лучше
Соотношение цена-качество
44.6 76.9
На 32.3 (72.4%) лучше
Контроллер
Samsung MJX Marvell 88NV1120
Структура памяти
3D NAND 3D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
SATA III SATA III
Объем накопителя
500 ГБ
На 380 ГБ (316.7%) лучше
120 ГБ
Популярные сравнения