Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 2000 IOPS (2.3%) лучше
vs
88000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
100000 IOPS
На 2000 IOPS (2%) лучше
vs
98000 IOPS
|
Соотношение цена-качество |
29.7
На 9.2 (44.9%) лучше
vs
20.5
|
$ |
139
На -13 (-8.6%) лучше
vs
152
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 488 ГБ (95.3%) лучше
vs
512 ГБ
|
Samsung 860 Pro [MZ-76P512BW] | Samsung 870 EVO [MZ-77E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 2000 IOPS (2.3%) лучше
|
88000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
100000 IOPS
На 2000 IOPS (2%) лучше
|
98000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек | 530 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм | 6.8 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
600 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
152 | 139
На -13 (-8.6%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
20.5 | 29.7
На 9.2 (44.9%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Samsung MKX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
512 ГБ | 1000 ГБ
На 488 ГБ (95.3%) лучше
|