Объем накопителя |
2000 ГБ
На 1744 ГБ (681.3%) лучше
vs
256 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10.4%) лучше
vs
480 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
88000 IOPS
На 27000 IOPS (44.3%) лучше
vs
61000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 33000 IOPS (50.8%) лучше
vs
65000 IOPS
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
82.6
На 70.3 (571.5%) лучше
vs
12.3
|
$ |
39
На -268 (-87.3%) лучше
vs
307
|
Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] | Goodram CX400 gen.2 [SSDPR-CX400-256-G2] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS
На 27000 IOPS (44.3%) лучше
|
61000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 33000 IOPS (50.8%) лучше
|
65000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
550 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10.4%) лучше
|
480 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 2 млн часов |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
307 | 39
На -268 (-87.3%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
12.3 | 82.6
На 70.3 (571.5%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MGX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
2000 ГБ
На 1744 ГБ (681.3%) лучше
|
256 ГБ |