Соотношение цена-качество |
62.6
На 50.3 (408.9%) лучше
vs
12.3
|
$ |
68
На -239 (-77.9%) лучше
vs
307
|
Объем накопителя |
2000 ГБ
На 1488 ГБ (290.6%) лучше
vs
512 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
vs
550 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
88000 IOPS
На 11200 IOPS (14.6%) лучше
vs
76800 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 22500 IOPS (29.8%) лучше
vs
75500 IOPS
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Goodram CX400 gen.2 [SSDPR-CX400-512-G2] | Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
76800 IOPS | 88000 IOPS
На 11200 IOPS (14.6%) лучше
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
75500 IOPS | 98000 IOPS
На 22500 IOPS (29.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек
На 10 Мбайт/сек (1.8%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
500 Мбайт/сек | 530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
|
Габариты | |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
2 млн часов | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
68
На -239 (-77.9%) лучше
|
307 |
Соотношение цена-качество | |
62.6
На 50.3 (408.9%) лучше
|
12.3 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
нет данных | Samsung MGX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
512 ГБ | 2000 ГБ
На 1488 ГБ (290.6%) лучше
|