Соотношение цена-качество |
37.4
На 21 (128%) лучше
vs
16.4
|
$ |
51
На -88 (-63.3%) лучше
vs
139
|
Ширина |
29.9 мм
На -39.95 мм (-57.2%) лучше
vs
69.85 мм
|
Длина |
50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
vs
100 мм
|
Толщина |
4 мм
На -2.8 мм (-41.2%) лучше
vs
6.8 мм
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
vs
120 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 220 Мбайт/сек (73.3%) лучше
vs
300 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 50000 IOPS (125%) лучше
vs
40000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 58000 IOPS (145%) лучше
vs
40000 IOPS
|
Ресурс работы |
600 TBW
На 535 TBW (823.1%) лучше
vs
65 TBW
|
Шифрование данных |
vs
|
Silicon Power M10 [SP120GBSS3M10MFF] | Samsung 860 EVO [MZ-76E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
40000 IOPS | 90000 IOPS
На 50000 IOPS (125%) лучше
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
40000 IOPS | 98000 IOPS
На 58000 IOPS (145%) лучше
|
Максимальная скорость последовательного чтения | |
500 Мбайт/сек | 550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
|
Максимальная скорость последовательной записи | |
300 Мбайт/сек | 520 Мбайт/сек
На 220 Мбайт/сек (73.3%) лучше
|
Габариты | |
Вес | |
7 г | нет данных |
Толщина | |
4 мм
На -2.8 мм (-41.2%) лучше
|
6.8 мм |
Длина | |
50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
|
100 мм |
Ширина | |
29.9 мм
На -39.95 мм (-57.2%) лучше
|
69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
1.2 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
65 TBW | 600 TBW
На 535 TBW (823.1%) лучше
|
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
51
На -88 (-63.3%) лучше
|
139 |
Соотношение цена-качество | |
37.4
На 21 (128%) лучше
|
16.4 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Marvell 88NV1120 | Samsung MJX |
Структура памяти | |
2D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
mSATA | SATA III |
Объем накопителя | |
120 ГБ | 1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
|