Главная / SSD / Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] vs Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW]

Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] vs Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW]

vs
Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW]
71%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] и Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA]
Победитель в сравнении
Соотношение цена-качество
98.5
На 35.4 (56.1%) лучше
vs
63.1
Объем накопителя
8000 ГБ
На 7500 ГБ (1500%) лучше
vs
500 ГБ
NVMe
vs
Максимальная скорость последовательной записи
15000 Мбайт/сек
На 14470 Мбайт/сек (2730.2%) лучше
vs
530 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательного чтения
15000 Мбайт/сек
На 14440 Мбайт/сек (2578.6%) лучше
vs
560 Мбайт/сек
Ресурс работы
3600 TBW
На 3300 TBW (1100%) лучше
vs
300 TBW
Преимущества Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW]
Ширина
69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
vs
129.9 мм
Длина
100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
vs
278.6 мм
Толщина
6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
vs
21.6 мм

Сравнение всех характеристик

Gigabyte AORUS Gen4 AIC [GP-ASACNE6800TTTDA] Samsung 870 EVO [MZ-77E500BW]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 88000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
нет данных 98000 IOPS
Максимальная скорость последовательного чтения
15000 Мбайт/сек
На 14440 Мбайт/сек (2578.6%) лучше
560 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
15000 Мбайт/сек
На 14470 Мбайт/сек (2730.2%) лучше
530 Мбайт/сек
Толщина
21.6 мм 6.8 мм
На -14.8 мм (-68.5%) лучше
Длина
278.6 мм 100 мм
На -178.6 мм (-64.1%) лучше
Ширина
129.9 мм 69.85 мм
На -60.05 мм (-46.2%) лучше
Шифрование данных
Энергопотребление
35.3 Вт нет данных
Поддержка команды TRIM
MTBF (Среднее время наработки на отказ)
1.77 млн часов нет данных
Ресурс работы
3600 TBW
На 3300 TBW (1100%) лучше
300 TBW
Серверный
$
нет данных 75
Соотношение цена-качество
98.5
На 35.4 (56.1%) лучше
63.1
Контроллер
Phison PS5016-E16 Samsung MKX
Структура памяти
3D NAND 3D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
PCI-E SATA III
Объем накопителя
8000 ГБ
На 7500 ГБ (1500%) лучше
500 ГБ
Популярные сравнения