Главная / SSD / Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] vs SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25]

Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] vs SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25]

Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW]
66%
Оценка DeviceList
vs
SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25]
58%
Оценка DeviceList
Мы сравнили характеристики Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] и SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25] и составили для вас список преимуществ и сравнительную таблицу. Узнайте, какой из них выбрать в 2024 году.
Преимущества Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW]
Победитель в сравнении
Объем накопителя
2000 ГБ
На 1520 ГБ (316.7%) лучше
vs
480 ГБ
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
88000 IOPS
На 58000 IOPS (193.3%) лучше
vs
30000 IOPS
Шифрование данных
vs
Толщина
6.8 мм
На -2.2 мм (-24.4%) лучше
vs
9 мм
Преимущества SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25]
Соотношение цена-качество
18.5
На 6.2 (50.4%) лучше
vs
12.3
$
64
На -243 (-79.2%) лучше
vs
307

Сравнение всех характеристик

Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] SiliconPower Velox V55 [SP480GBSS3V55S25]
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32)
88000 IOPS
На 58000 IOPS (193.3%) лучше
30000 IOPS
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32)
98000 IOPS нет данных
Максимальная скорость последовательного чтения
560 Мбайт/сек 560 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи
530 Мбайт/сек 530 Мбайт/сек
Вес
нет данных 63 г
Толщина
6.8 мм
На -2.2 мм (-24.4%) лучше
9 мм
Длина
100 мм 100 мм
Ширина
69.85 мм 69.85 мм
Шифрование данных
Поддержка команды TRIM
Максимальная перегрузка (ударостойкость)
нет данных 1500 G
MTBF (Среднее время наработки на отказ)
нет данных 1.5 млн часов
Ресурс работы
нет данных 250 TBW
Серверный
$
307 64
На -243 (-79.2%) лучше
Соотношение цена-качество
12.3 18.5
На 6.2 (50.4%) лучше
Контроллер
Samsung MGX Phison PS3108-S8
Структура памяти
3D NAND 2D NAND
Тип чипов памяти
NAND NAND
NVMe
Физический интерфейс
SATA III SATA III
Объем накопителя
2000 ГБ
На 1520 ГБ (316.7%) лучше
480 ГБ
Популярные сравнения