Объем накопителя |
2000 ГБ
На 1040 ГБ (108.3%) лучше
vs
960 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10.4%) лучше
vs
480 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (5.7%) лучше
vs
530 Мбайт/сек
|
Шифрование данных |
vs
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.050000000000011 мм (-0.099999999999994%) лучше
vs
69.9 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
17.4
На 5.1 (41.5%) лучше
vs
12.3
|
$ |
113
На -194 (-63.2%) лучше
vs
307
|
Samsung 870 EVO [MZ-77E2T0BW] | Team Group GX1 [T253X1960G0C101] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (5.7%) лучше
|
530 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10.4%) лучше
|
480 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм
На -0.050000000000011 мм (-0.099999999999994%) лучше
|
69.9 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 1500 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1 млн часов |
Ресурс работы | |
нет данных | 800 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
307 | 113
На -194 (-63.2%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
12.3 | 17.4
На 5.1 (41.5%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MGX | Phison PS3111-S11 |
Структура памяти | |
3D NAND | 2D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
2000 ГБ
На 1040 ГБ (108.3%) лучше
|
960 ГБ |