Объем накопителя |
1000 ГБ
На 744 ГБ (290.6%) лучше
vs
256 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 70 Мбайт/сек (15.2%) лучше
vs
460 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.7%) лучше
vs
540 Мбайт/сек
|
Ресурс работы |
360 TBW
На 280 TBW (350%) лучше
vs
80 TBW
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
76.4
На 74.4 (3720%) лучше
vs
2
|
$ |
39
На -72 (-64.9%) лучше
vs
111
|
Samsung 870 QVO [MZ-77Q1T0BW] | AMD Radeon R5 Series [R5SL256G] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS | нет данных |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS | нет данных |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (3.7%) лучше
|
540 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 70 Мбайт/сек (15.2%) лучше
|
460 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
70 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 1500 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.5 млн часов |
Ресурс работы | |
360 TBW
На 280 TBW (350%) лучше
|
80 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
111 | 39
На -72 (-64.9%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
2 | 76.4
На 74.4 (3720%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MGX | нет данных |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
1000 ГБ
На 744 ГБ (290.6%) лучше
|
256 ГБ |