Объем накопителя |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
vs
120 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 230 Мбайт/сек (76.7%) лучше
vs
300 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
560 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (12%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
88000 IOPS
На 48000 IOPS (120%) лучше
vs
40000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 58000 IOPS (145%) лучше
vs
40000 IOPS
|
Ресурс работы |
360 TBW
На 295 TBW (453.8%) лучше
vs
65 TBW
|
Соотношение цена-качество |
37.4
На 35.4 (1770%) лучше
vs
2
|
$ |
51
На -60 (-54.1%) лучше
vs
111
|
Ширина |
29.9 мм
На -39.95 мм (-57.2%) лучше
vs
69.85 мм
|
Длина |
50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
vs
100 мм
|
Толщина |
4 мм
На -2.8 мм (-41.2%) лучше
vs
6.8 мм
|
Samsung 870 QVO [MZ-77Q1T0BW] | Silicon Power M10 [SP120GBSS3M10MFF] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
88000 IOPS
На 48000 IOPS (120%) лучше
|
40000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 58000 IOPS (145%) лучше
|
40000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек
На 60 Мбайт/сек (12%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
530 Мбайт/сек
На 230 Мбайт/сек (76.7%) лучше
|
300 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
нет данных | 7 г |
Толщина | |
6.8 мм | 4 мм
На -2.8 мм (-41.2%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
|
Ширина | |
69.85 мм | 29.9 мм
На -39.95 мм (-57.2%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1.2 млн часов |
Ресурс работы | |
360 TBW
На 295 TBW (453.8%) лучше
|
65 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
111 | 51
На -60 (-54.1%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
2 | 37.4
На 35.4 (1770%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MGX | Marvell 88NV1120 |
Структура памяти | |
3D NAND | 2D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | mSATA |
Объем накопителя | |
1000 ГБ
На 880 ГБ (733.3%) лучше
|
120 ГБ |