Соотношение цена-качество |
48.2
На 18.5 (62.3%) лучше
vs
29.7
|
$ |
43
На -96 (-69.1%) лучше
vs
139
|
Объем накопителя |
1000 ГБ
На 744 ГБ (290.6%) лучше
vs
256 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
88000 IOPS
На 3000 IOPS (3.5%) лучше
vs
85000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 13000 IOPS (15.3%) лучше
vs
85000 IOPS
|
Шифрование данных |
vs
|
Ширина |
69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
vs
70 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Transcend 230S [TS256GSSD230S] | Samsung 870 EVO [MZ-77E1T0BW] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
85000 IOPS | 88000 IOPS
На 3000 IOPS (3.5%) лучше
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
85000 IOPS | 98000 IOPS
На 13000 IOPS (15.3%) лучше
|
Максимальная скорость последовательного чтения | |
560 Мбайт/сек | 560 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
500 Мбайт/сек | 530 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (6%) лучше
|
Габариты | |
Вес | |
53 г | нет данных |
Толщина | |
7 мм | 6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 100 мм |
Ширина | |
70 мм | 69.85 мм
На -0.15000000000001 мм (-0.2%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
2 млн часов | нет данных |
Ресурс работы | |
140 TBW | нет данных |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
43
На -96 (-69.1%) лучше
|
139 |
Соотношение цена-качество | |
48.2
На 18.5 (62.3%) лучше
|
29.7 |
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Transcend TS6510 | Samsung MKX |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
256 ГБ | 1000 ГБ
На 744 ГБ (290.6%) лучше
|