Объем накопителя |
250 ГБ
На 10 ГБ (4.2%) лучше
vs
240 ГБ
|
Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (5.8%) лучше
vs
520 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 65000 IOPS (260%) лучше
vs
25000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 19000 IOPS (24.1%) лучше
vs
79000 IOPS
|
Ресурс работы |
150 TBW
На 50 TBW (50%) лучше
vs
100 TBW
|
Соотношение цена-качество |
51.8
На 1 (2%) лучше
vs
50.8
|
$ |
51
На -6 (-10.5%) лучше
vs
57
|
Ширина |
29.85 мм
На -40 мм (-57.3%) лучше
vs
69.85 мм
|
Длина |
50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
vs
100 мм
|
Толщина |
4.85 мм
На -1.95 мм (-28.7%) лучше
vs
6.8 мм
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | Kingston UV500 [SUV500MS240G] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 65000 IOPS (260%) лучше
|
25000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 19000 IOPS (24.1%) лучше
|
79000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек
На 30 Мбайт/сек (5.8%) лучше
|
520 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 20 Мбайт/сек (4%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Габариты | |
Вес | |
нет данных | 6.7 г |
Толщина | |
6.8 мм | 4.85 мм
На -1.95 мм (-28.7%) лучше
|
Длина | |
100 мм | 50.8 мм
На -49.2 мм (-49.2%) лучше
|
Ширина | |
69.85 мм | 29.85 мм
На -40 мм (-57.3%) лучше
|
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Энергопотребление | |
нет данных | 2.32 Вт |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Максимальная перегрузка (ударостойкость) | |
нет данных | 20 G |
MTBF (Среднее время наработки на отказ) | |
нет данных | 1 млн часов |
Ресурс работы | |
150 TBW
На 50 TBW (50%) лучше
|
100 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 51
На -6 (-10.5%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 51.8
На 1 (2%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Marvell Dean |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | mSATA |
Объем накопителя | |
250 ГБ
На 10 ГБ (4.2%) лучше
|
240 ГБ |