Максимальная скорость последовательной записи |
520 Мбайт/сек
На 100 Мбайт/сек (23.8%) лучше
vs
420 Мбайт/сек
|
Максимальная скорость последовательного чтения |
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
vs
500 Мбайт/сек
|
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) |
90000 IOPS
На 15000 IOPS (20%) лучше
vs
75000 IOPS
|
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) |
98000 IOPS
На 48000 IOPS (96%) лучше
vs
50000 IOPS
|
Ресурс работы |
150 TBW
На 90 TBW (150%) лучше
vs
60 TBW
|
Длина |
100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
vs
100.2 мм
|
Толщина |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
vs
7 мм
|
Соотношение цена-качество |
73.8
На 23 (45.3%) лучше
vs
50.8
|
$ |
38
На -19 (-33.3%) лучше
vs
57
|
Объем накопителя |
256 ГБ
На 6 ГБ (2.4%) лучше
vs
250 ГБ
|
Samsung 860 EVO [MZ-76E250BW] | DEXP L4 [SSB256GNLNXSB0CD-DRL4] |
Показатели производительности | |
Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) | |
90000 IOPS
На 15000 IOPS (20%) лучше
|
75000 IOPS |
Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32) | |
98000 IOPS
На 48000 IOPS (96%) лучше
|
50000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | |
550 Мбайт/сек
На 50 Мбайт/сек (10%) лучше
|
500 Мбайт/сек |
Максимальная скорость последовательной записи | |
520 Мбайт/сек
На 100 Мбайт/сек (23.8%) лучше
|
420 Мбайт/сек |
Габариты | |
Толщина | |
6.8 мм
На -0.2 мм (-2.9%) лучше
|
7 мм |
Длина | |
100 мм
На -0.2 мм (-0.2%) лучше
|
100.2 мм |
Ширина | |
69.85 мм | 69.85 мм |
Дополнительная информация | |
Шифрование данных | |
Поддержка команды TRIM | |
Надежность | |
Ресурс работы | |
150 TBW
На 90 TBW (150%) лучше
|
60 TBW |
Общие параметры | |
Серверный | |
$ | |
57 | 38
На -19 (-33.3%) лучше
|
Соотношение цена-качество | |
50.8 | 73.8
На 23 (45.3%) лучше
|
Конфигурация накопителя | |
Контроллер | |
Samsung MJX | Phison PS3111-S11T |
Структура памяти | |
3D NAND | 3D NAND |
Тип чипов памяти | |
NAND | NAND |
Основные характеристики | |
NVMe | |
Физический интерфейс | |
SATA III | SATA III |
Объем накопителя | |
250 ГБ | 256 ГБ
На 6 ГБ (2.4%) лучше
|